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资料

型号: IXBT24N170

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: Igbt 1700V 60A 250W To268

4644

1-9

￥237.9465

10-49

￥231.7392

50-99

￥226.9803

100-199

￥225.3250

200-499

￥224.0835

500-999

￥222.4283

1000-1999

￥221.3937

≥2000

￥220.3592

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型号: IXGT10N170A

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3Pin(2+Tab) TO-268

5551

1-9

￥78.5335

10-99

￥75.1190

100-249

￥74.5044

250-499

￥74.0264

500-999

￥73.2752

1000-2499

￥72.9337

2500-4999

￥72.4557

≥5000

￥72.0460

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型号: IXYT80N90C3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 900V 165A 830W TO268

3625

1-9

￥85.9050

10-99

￥82.1700

100-249

￥81.4977

250-499

￥80.9748

500-999

￥80.1531

1000-2499

￥79.7796

2500-4999

￥79.2567

≥5000

￥78.8085

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型号: IXGT28N120B

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(2+Tab) TO-268

7472

1-9

￥62.8130

10-99

￥60.0820

100-249

￥59.5904

250-499

￥59.2081

500-999

￥58.6073

1000-2499

￥58.3342

2500-4999

￥57.9518

≥5000

￥57.6241

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型号: IXA4IF1200TC

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-268-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

7827

5-49

￥21.2940

50-199

￥20.3840

200-499

￥19.8744

500-999

￥19.7470

1000-2499

￥19.6196

2500-4999

￥19.4740

5000-7499

￥19.3830

≥7500

￥19.2920

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